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アプリケーション（技術資料）
イオンクロマトグラフィのお勧め技術情報！【コラム】ご隠居達のIC四方山話
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- 410000059-Bラマン分光法による炭素材料のキャラクタリゼーション
ラマン分光法は、選択性、分析速度に優れ、また非破壊で分析できる能力のために、カーボンナノ材料のキャラクタリゼーションのための重要なツールです。炭素材料のラマンスペクトルは、一般的に単純なように見えますが、ピーク位置、形状、相対強度によって内部結晶構造を追求することができます。
- 8.000.6059Determination of hazardous substances in electrical and electronic equipment
The Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC stipulates maximum limits for the hazardous metals cadmium, lead and mercury as well as the hexavalent chromium and the brominated flame retardants in electrical and electronic products. To ensure compliance, reliable analysis methods are required.This poster deals with the wet-chemical determination of trace concentrations of the six RoHS-restricted substances in a wide variety of materials including metals, electrotechnical components, plastics and wires. After sample preparation according to IEC 62321, the metals lead, cadmium and mercury are best determined by anodic stripping voltammetry (ASV) and the flame retardants PBB and PBDE are quantified by direct-injection ion chromatography (IC) using spectrophotometric detection. Chromium(VI) can be determined either by adsorptive stripping voltammetry (AdSV) or IC. Both methods are very sensitive and meet prescribed RoHS limits.
- 8.000.6073Determination of anions in concentrated nitric acid by ion chromatography: the influence of temperature on column selectivity
Determination of chloride and sulfate in the presence of high nitrate concentrations. Optimization of the chromatographic separation by variation of the temperature and eluent composition.
- AB-046シアン化物の電位差測定
シアン化物の測定は、電気めっき槽や廃水の浄化だけでなく、その高い毒性のため、一般的な水サンプルにおいても非常に重要です。0.05 mg/LのCN-濃度でも、魚類にとって致死的となる可能性があります。 この技術資料では、電位差滴定法を用いて、様々な濃度のサンプル中のシアン化物を測定する方法について紹介しています。
- AB-077カール・フィッシャーによる容量水分測定 - カール フィッシャー容量滴定のヒントとコツ
このApplication Bulletinでは、カール・フィッシャーによる容量水分測定の概要をご覧いただけます。その他に、電極、サンプル、および水標準液の取り扱いについて説明しています。ここで説明される手順およびパラメータはASTM E203に準ずるものです。
- AB-082イオン選択性電極を用いたフッ化物の測定
本文では、フッ素イオン選択性電極 (F-ISE) を用いた、様々なマトリックス内のフッ化物の測定について説明します。F-ISE はフッ化ランタン単結晶で作られており、幅広いフッ素濃度範囲においてネルンスト効果を示します。本文の第一部には、電極の操作法や手入れに関して、および実際のフッ素測定における注記が記載されています。第二部では、食塩、歯磨き粉、洗口液における、標準添加技術によるフッ化物の直接的な測定について説明しています。
- AB-102Conductometry
This bulletin contains two parts. The first part gives a short theoretical overview while more details are offered in the Metrohm Monograph Conductometry. The second, practice-oriented part deals with the following subjects:Conductivity measurements in general; Determination of the cell constant; Determination of the temperature coefficient; Conductivity measurement in water samples; TDS – Total Dissolved Solids; Conductometric titrations;
- AB-137カール・フィッシャーによる電量法水分測定
このApplication Bulletinでは、カール・フィッシャーによる電量法水分測定の概要をご覧いただけます。その他に、電極、サンプル、および水標準液の取り扱いについて説明しています。ここで説明される手順およびパラメータはASTM E1064に準ずるものです。
- AB-147ストリッピングボルタンメトリー法による「電子材料グレード」材料中の７元素の同時微量分析
カドミウム（Cd）、コバルト（Co）、銅（Cu）、鉄（Fe）、ニッケル（Ni）、鉛（Pb）、亜鉛（Zn）の7元素を、ストリッピングボルタンメトリーによりサブppbレベル（検出限界0.05 µg/L）で定量した。Cd、Cu、Pb、Znの測定には二重パルス非拡散型アノード溶出ボルタンメトリー（DP-ASV）法を用い、Co、Ni、Feについては二重パルス還元溶出ボルタンメトリー（DP-CSV）法を用いた（ジメチルグリオキシムまたはカテコール錯体を利用）。VAプロセッサーおよびサンプルチェンジャーを使用することで、これら金属イオンを含む一溶液中の自動同時測定が可能である。本法はシリコンを基盤とした半導体チップ製造における微量分析のために特別に開発されたものであるが、環境分析分野にも十分応用可能である。
- AB-178完全自動の水質分析
電気伝導度、pH値、p値およびm値 (アルカリ度)、塩化物含有量、カルシウムおよびマグネシウム硬度、総硬度、ならびにフッ化物含有量などといったか物理的および化学的パラメータの測定は、水質評価において必要不可欠です。この bulletin では、上記のパラメータを、一度の分析実行でいかに測定できるかが説明されています。水質分析においてさらに重要なパラメータは、過マンガン酸塩指数 (PMI) および化学的酸素要求量 (COD) です。そのため、この Bulletin では、EN ISO 8467に準じたPMIの完全自動測定、ならびにDIN 38409-44に準じたCODの測定についても説明しています。
- AB-188pH measurement technique
This Bulletin, using practical examples, indicates how the user can achieve optimum pH measurements. As this Bulletin is intended for actual practice, the fundamentals - which can be found in numerous books and publications - are treated only briefly.
- AB-195ニッケルめっき浴中の遊離ホウ酸および テトラフルオロホウ酸の滴定法
このアプリケーションは、ニッケルめっき浴中の遊離ホウ酸および遊離テトラフルオロホウ酸の同時電位差滴定法について解説しています。
- AB-231DIN 38406-16に則したアノードおよび吸着ストリッピングボルタンメトリーによる、水サンプルに含まれる亜鉛、カドミウム、鉛、銅、タリウム、ニッケル、およびコバルトの測定
DIN 38406 Part 16 を条件とした標準メソッドでは、飲料水、地下水、地表水、および降水 (雨水など) に含まれるZn、Cd、Pb、Cu、Tl、Ni、およびCoの測定について説明しています。水サンプル中に含まれる有機物質は電圧電流法による測定に強い干渉を与え得るため、過酸化水素を用いたUV分解による前処理が必要となります。この分解により、ブランク値の導入なしですべての有機物質を確実に除去することができます。これらのメソッドはもちろん、例えばシリコンベースの半導体チップの製造における微量分析など、他の物質の微量分析にも応用することができます。Zn、Cd、Pb、Cu、およびTlはアノードストリッピングボルタンメトリー (ASV) を用いてHMDEで測定され、NiおよびCoは吸着ストリッピングボルタンメトリー (AdSV) を用いて測定されます。
- AB-344Automated analysis of etch acid mixtures for silicon substrates with thermometric titration
This bulletin deals with the automated determination of mixtures of HNO3, HF and H2SiF6 in the range of approximately 200-600 g/L HNO3, 50-160 g/L HF, and 0-185 g/L H2SiF6 using thermometric titration.Etch acid mixtures containing HNO3, HF and H2SiF6 from the etching of silicon substrates can be analyzed in a sequence of two determinations using the 859 Titrotherm. The first determination involves a direct titration with standard c(NaOH) = 2 mol/L, followed by a back titration with c(HCl) = 2 mol/L. This determination yields the H2SiF6 content plus a value for the combined (HNO3+HF) contents. The second determination consists of a titration with c(Al3+) = 0.5 mol/L to determine the HF content. For freshly made up mixtures of HNO3 and HF containing no H2SiF6, a linked two-titration sequence is employed. Results from the two determinations are used by tiamoTM to yield individual results for HNO3, HF and H2SiF6.
- AN-C-149Determination of ions on surfaces of printed circuit boards
Cleanliness is indispensable in electronics production. Ionic contaminations in particular lead to a drastic worsening of the quality of the printed circuit boards. The present Application Note describes the determination of cations on printed circuit board surfaces. The intelligent Partial Loop Injection Technique (MiPT) used for this purpose permits the determination of cations and anions in the same sample. The determination of the anions is described in AN-S-317.
- AN-C-159マトリックス除去を伴うインライン濃縮後のカラム Metrosep C 4 - 250/2.0における微量の陽イオン
インラインマトリックス除去を伴うインテリジェントなインライン濃縮（MiPCT-ME）は、亜鉛やジエチルアミンなどといった6つの基本陽イオンの微量測定に使用されます。Metrosep C 4 - 250/2.0 のマイクロボアカラムでは、24分で分析が完了します。回収率は95％を超えます。ソフトウェア MagIC Net によって算出される検出限界は、濃縮量が4ｍLの場合、より低いng/Lレベルにまで及びます。
- AN-C-162流量グラジェントを用いた現像液中の陽イオン成分
この Application Note では、現像液中のN, Nジエチルヒドロキシルアミン（DEHA）、トリイソプロパノールアミン（TIPA）、陽イオンのカラー現像液成分（Color-Developing component、CDC）の測定について説明しています。分析はMetrosep C - 250/4.0の大容量のカラムにおいて行われ、続いて直接電気伝導度検出が行われます。カラムに強力に遅滞する発色現像液の滞留時間を短縮するため、カラム流量はアミンの溶出後、増大されます。
- AN-CIC-011燃焼法イオンクロマトグラフィシステムによるイオン交換体の分析
製薬産業または半導体産業のための超純水の生産には高品質なイオン交換体が必要です。陰イオン交換体物質の純度の検査には、燃焼法イオンクロマトグラフィシステムは不可欠なツールです。
- AN-CIC-015燃焼法イオンクロマトグラフィシステムによるハロゲンを含まないプリント基板の基礎資材試験
電気装置および電子装置における特定有害物質の使用制限についてのEU指令およびIEC 61249-2-21では、電子機器で用いられる材料に含まれるハロゲンの制限値が定められています。プリント基板に使われる資材中のハロゲン測定は、IEC 61189-2に準拠した燃焼法イオンクロマトグラフィシステムにより、正確かつ迅速に自動化しておこなえます。
- AN-CS-01230% 過酸化水素 (H2O2) におけるトリメチルアミンおよび標準陽イオンの測定
過酸化水素は、その用途に応じて様々な純度で用いられます。高純度のH2O2 (電子工業用) では、たとえばトリメチルアミン (TMA) は1 μg/L未満など、非常に低い汚染レベルが求められます。この技術資料では、高濃度のH2O2溶液 (30%) におけるトリメチルアミンの測定について説明しています。分析は、連続陽イオンサプレッション後に電気伝導度検出器を備えたイオンクロマトグラフにマトリックス自動除去 (MiPCT-ME) とインライン自動予備濃縮を用いて測定しています。
- AN-CS-013脱イオン水中の陽イオンの測定と、MiPCT の LOD および MDL の計算
高純度の水 (サブμg/L 未満の範囲) における陽イオンの微量分析には、連続サプレッションを備えた陽イオンクロマトグラフィーと、自動予備濃縮テクニック (MiPCT) が必要となります。脱イオン水 (DI) 中の微量陽イオンが測定され、メソッド検出限界 (US EPA に準じた MDL) および検出限界 (LOD = 3 x S/N) が計算されます。MDL および LOD は、6 mL の予備濃縮容量を使用した設定で最も低いng/L範囲で非常に類似しています。
- AN-CS-018Metrosep C Supp 2 - 250/4.0: ドーズイングラジェントを用いた廃水中の陽イオン
ICによる廃水中の陽イオン分析は、実証済みのメソッドです。制約要因は一般にNa/NH4の分離です。高濃度のナトリウムにより、ピークの重複が原因でアンモニアの測定が不可能となる可能性があります。連続サプレッションおよびドーズイングラジェントを用いることで、Na/NH4分離を改善し、低濃度アンモニウムの測定を可能にします。
- AN-CS-019連続サプレッションを用いた30%の過酸化水素中の微量アンモニウムおよびトリメチルアミン
過酸化水素中の微量レベルの陽イオンおよびアミンの測定は、グレードの高い半導体用化学薬品の品質測定において重要です。特に、過酸化水素サンプル中で1 ppbまたはそれ未満のトリメチルアミンを要求するメーカーもあります。連続陽イオンサプレッション後に電気伝導度検出を伴うMiPCT-ME*に後続するイオンクロマトグラフィーが適用されます。
- AN-EC-002参照電極とその使用法
電気化学電池では付加電位または測定電位が参照されるのに対し、参照電極は安定かつ適切に定義された電気化学的ポテンシャル (一定の温度において) を有します。そのため、良い参照電極は安定しており、非分極性です。言い換えると、このような電極の電位は使用される環境において、また低い電流通過においても安定性を維持します。このApplication Noteでは、もっともよく使用されている参照電極が、その使用範囲と共にリストアップされています。
- AN-EC-011Autolab 回転リングディスク電極 (RRDE) を用いた銅の電着における中間体についての調査
銅はほぼ間違いなく、特に半導体産業において科学技術的に最も関連性のある金属の1つでしょう。この産業で用いられる蒸着プロセスは、デュアルダマシンプロセスとして知られ、それは添加物が存在する上で、酸性の第二銅化合物からの銅の電着に作用します。このApplication Noteでは、銅の電着についての調査と、Cu+中間体検出のための Autolab 回転リングディスク電極 (RRDE) の使用について説明されています。
- AN-EC-013低インピーダンスシステムでの EIS 測定に四端子測定法を用いることの重要性
このApplication Noteでは、二方向に接続された商業用バッテリーの試験のために電気化学インピーダンス分光法 (EIS) が用いられています。最初の EIS 測定では、バッテリーは二端子測定のコンフィグレーションに接続されています。2つ目の EIS 測定では、バッテリーは四端子測定 (ケルビン接続) のコンフィグレーションに接続されています。リード線の接続方法の違いにより、バッテリーに対して測定されたインピーダンス値が異なるという結果が生じます。
- AN-EC-015水サンプル中の重金属イオン検出のための Metrohm 663 VA stand
溶液中の重金属イオンの測定は、最も成功を収めた電気化学のアプリケーションの1つです。この Application Note では、水道水のサンプル中の2つの検体の存在を測定するのにアノーディックストリッピングボルタンメトリーが用いられています。
- AN-EC-017Microcell HCセットアップと共に実施されるサイクリックボルタンメトリーならびに電気化学インピーダンス分光法による測定 - TSC SW Closed ならびに TSC Battery セル
TSC SW Closed および TSC Battery セルは、バッテリーに使われる材料のような空気や湿気に敏感な材料の測定のために開発されたコンパクトなシステムです。この文書では、2種のテスト手順について説明されています。1つ目の手順は停電に定電位サイクリックボルタンメトリー (CV) によるものであり、2つ目は電気化学的インピーダンス分光法 (EIS) によるものです。
- AN-EC-026Comparison between linear and staircase cyclic voltammetry on a commercial capacitor
Capacitors are electronic components necessary for the success of the electronics industry. They have also become essential components of both electric and hybrid vehicles. Electrochemical tests, such as potentiostatic cyclic voltammetry, are used to check the performance of capacitors. VIONIC powered by INTELLO can perform both staircase and linear cyclic voltammetries (CV). This Application Note gives a comparison between the linear and the staircase potentiostatic cyclic voltammetries and highlights the necessity of using the linear CV to best study the performance of capacitors.
- AN-EC-028Measuring hydrogen permeation according to ASTM G148
In this Application Note, hydrogen permeation experiments are conducted following the procedure described in the ASTM standard G148.
- AN-EC-032ASTM G148に準拠した単一機器による水素透過試験
The Devanathan-Stachurski cel（または「Hセル」）は、シートや膜を通過する水素の透過性を評価するために広く使用されています。シートや膜を通過する水素の量は非常に少ないため、その検出には高感度なポテンショスタットが必要となります。本アプリケーションノートでは、さまざまな鉄シートの水素透過特性を、装置の要件を考慮しながら検討しています。
- AN-EIS-001電気化学インピーダンス分光法 (EIS) その1 - 基本的原理
電気化学インピーダンス分光法 (EIS) は、電気化学的システムの特性解析のための強力な技術です。近年、EISは材料の特性解析の分野において広範囲に及ぶ用途を見出してきました。これは日常的に、コーティング、バッテリー、燃料電池、および腐食現象の特性解析に用いられます。このApplication Noteでは、EIS測定の原理についてご覧いただけます。
- AN-EIS-002電気化学インピーダンス分光法 (EIS) その2 - 実験準備
このApplication Noteでは、電気化学電池における様々な接続のタイプや装置のセッティングなど、EISを実施するための準備について説明されています。
- AN-EIS-003Electrochemical Impedance Spectroscopy (EIS) Part 3 – Data Analysis
Here, the most common circuit elements for EIS are introduced which may be assembled in different configurations to obtain equivalent circuits used for data analysis.
- AN-EIS-004Electrochemical Impedance Spectroscopy (EIS) Part 4 – Equivalent Circuit Models
Explore how to construct simple and complex equivalent circuit models for fitting EIS data in this Application Note. Nyquist plots are shown for each example.
- AN-EIS-005電気化学インピーダンス分光法 (EIS) その5 - パラメータ推定
等価回路モデルに関するApplication Note AN-EIS-004では、等価回路モデルの構築に用いられる様々な回路素子の概要が示されています。分析中のシステムに適したモデルが確認された後、データ分析における次のステップはモデルパラメータの推定です。これは、モデルのデータへの非線形回帰によって行われます。多くのインピーダンスシステムは、データフィッティングプログラムを伴います。このApplication Noteでは、データをフィットさせるのにNOVAを用いた方法が紹介されています。
- AN-EIS-006電気化学インピーダンス分光法 (EIS) その6 - EISにおける生の信号の測定
このApplication Noteでは、電気化学インピーダンス測定中の個々の周波数のための生のタイムドメインデータの記録の長所について説明されています。
- AN-EIS-007EISデータの当てはめ - 等価回路要素の良い開始値を得るための方法
電気化学インピーダンス分光法 (EIS) は、電極内部液インターフェースにおいて生じるプロセスに関する情報を提供する強力な技術です。EISによって集められたデータは、適正な電気等価回路でモデル化されます。当てはめ手順により、数学関数が実験データの一定の差の内に収まるまで、パラメータの値が変更されます。このApplication Noteでは、許容できる初期パラメータを獲得し、正確な当てはめを実施するためのいくつかの提案が述べられています。
- AN-EIS-009Mott-Schottky Analysis
This Application Note presents the Mott-Schottky measurement, an extension of electrochemical impedance spectroscopy (EIS), on a popular semiconducting material.
- AN-H-004Determination of fluoride by boric acid titration
Determination of fluoride in industrial solutions such as acid etching mixtures.
- AN-H-016Determination of acetic, phosphoric, and nitric acid mixtures
Determination of mixtures of phosphoric, nitric, and acetic acids used in etching aluminum in the manufacture of semiconductor devices.
- AN-H-017Determination of bromide and chloride in photographic developer solutions
Determination of bromide and chloride in photographic developer solutions.
- AN-H-087Determination of hydrofluoric acid by aluminum titration
Determination of hydrofluoric acid in mixed acid etchant solutions.
- AN-H-089Automated analysis of hexafluorosilicic acid
Automated determination of the H2SiF6 and HF contents of industrial grade hexafluorosilicic acid.
- AN-H-098シリコンエッチング溶液中のフッ化水素酸の測定
酸エッチング溶液には、エッチング速度が高いためフッ化水素酸 (HF) が含まれることがよくあります。 この技術資料では、電位差滴定装置で使用する通常のガラス電極では測定が難しい、シリコンエッチング溶液中のフッ化物の測定を温度滴定法でおこなっている例を紹介しています。
- AN-H-100Determination of total acids in highly acidic etch solutions
Determination of the total acids concentration in mixtures of nitric-hydrofluoric acid intended for etching silicon substrates.
- AN-H-114Determination of sulfuric acid, nitric acid, and hydrofluoric acid in etch solutions
Two separate titration sequences are required to analyze the mixture:- titration of the HF content with Al(NO3)3 (the «elpasolite» reaction)- titration of the H2SO4 with BaCl2 followed by titration with NaOH to determine the «total acids» contentThe HF, H2SO4, and «total acids» contents are converted to a HNO3 equivalent, with the HNO3 content found by subtracting the HF and H2SO4 from the «total acids» content.
- AN-H-134Determination of sulfuric acid and phosphoric acid in etching baths using thermometric titration
Thermometric titration can be used for the ready determination of sulfuric acid and phosphoric acid in acid mixtures. An endpoint for each acid appears on the titration curve that can be used to quantify the respective acid.
- AN-H-135Determination of hydrochloric acid and phosphoric acid in etching baths using thermometric titration
Thermometric titration is used for the determination of hydrochloric acid and phosphoric acid in acid mixtures. Two endpoints appear on the titration curve that are used for the determination of the two acids.
- AN-H-136Determination of hydrochloric acid and nitric acid in etching baths using thermometric titration
Thermometric titration is used for the determination of hydrochloric acid and nitric acid in acid baths. The entire acid content is titrated with caustic soda in the initial titration; the hydrochloric acid content is then determined in a second titration using silver nitrate solution.
- AN-H-137Determination of hydrochloric acid and hydrofluoric acid in etching baths using thermometric titration
Thermometric titration is used to determine hydrochloric acid and hydrofluoric acid (hydrogen fluoride) in etching baths containing ethanol and acetonitrile. Two endpoints appear on the titration curve that are used individually for the quantification of the respective acid.
- AN-H-138Determination of nitric acid and hydrofluoric acid in etching baths using thermometric titration
Thermometric titration is used to determine hydrofluoric acid and nitric acid in etching baths containing ethanol and acetonitrile. Two endpoints appear on the titration curve that are used individually for the quantification of the respective acid.
- AN-H-139Determination of nitric acid, hydrofluoric acid and hexafluorosilic acid in simulated etching baths using thermometric titration
Following the addition of caustic soda, hexafluorosilic acid can be determined through back titration of excess hydroxide with hydrochloric acid. Hydrofluoric acid (hydrogen fluoride) is determined by precipitation with aluminum in the presence of sodium and potassium ions. Nitric acid is determined by subtracting the equivalence concentrations of hexafluorosilic acid and hydrofluoric acid from the total acid concentration.
- AN-H-140Titration of phosphoric, nitric, and acetic acid mixtures
Nitric acid, phosphoric acid, and acetic acid are easily determined in etching baths using thermometric titration (TET). Compared to potentiometric titration, TET is faster and more convenient. Analysis is complete in less than two minutes.
- AN-I-004イオン選択性電極(ISE)を用いた銅めっき浴中の硝酸イオンの定量
硝酸塩をアンモニウムに変換した後、銅めっき浴中の硝酸塩を定量します。イオン選択性電極(NH3-ISE)を用いた直接電位測定法です。
- AN-I-005イオン選択性電極を用いたクロムめっき浴中のふっ化物の定量
イオン選択性電極 (F-ISE) を用いた直接電位差測定によるクロムめっき浴中のふっ化物の測定
- AN-I-009水に含まれるシアン化合物
シアン化物は一部の産業プロセスにて用いられますが、慎重に取り扱わなければ廃水を汚染する恐れがあります。酸性もしくは中性環境下では、このシアン化物に汚染された廃水は毒性の強いシアン化水素ガスを形成することがあります。さらに、シアン化塩は環境を汚染し、地下水系へと侵入することもあります。そのため、流出水中のシアン化物含有量をモニタリングすることは不可欠です。シアン化物は、シアン化物イオン選択性電極を用いて簡単に測定できます。このApplication Noteでは、APHA Method 4500-CN および ASTM D2036 に準じたシアン化物分析のメソッドを紹介します。
- AN-N-003はんだペースト中の5種類の陰イオン
アルコール抽出後のはんだペースト中の陰イオンの陰イオンクロマトグラフィーおよび直接電気伝導度検出による定量
- AN-N-005濃縮処理後の水（例：ボイラー水）中の微量シリカ（SiO₂）の定量
純水中のシリカ（ケイ酸塩として）の濃縮前処理後における、陰イオンクロマトグラフィーおよび直接電気伝導度検出による定量（ポストカラム反応を行わない方法）を紹介します。
- AN-N-054Borate and silicate in ultrapure water
Determination of borate and silicate in ultrapure water using anion chromatography with direct conductivity detection.
- AN-NIR-089Quality Control of Laminates
In the semiconductor industry, thermoset resins combined with fabric or paper are used as an intermediate layer between substrates of printed circuit boards (PCB). These polymer-based sheets (laminates) are chosen depending on thickness and their thermomechanical and electrical characteristics. Near infrared spectroscopy (NIRS) is a fast, non-destructive and easy-to-use analytical method which allows the measurement of multiple key quality parameters in less than a minute. The following Application Note describes the determination of the transition time of PCB laminates by NIRS, a parameter correlating with the thickness, glass transition temperature, and tensile strength of the material.
- AN-NIR-090Quality Control of Mixed Acids
- AN-NIR-091Quality Control of Mixed Acids
- AN-O-028Citrate, ascorbate, and acetate in photographic developer solution
Determination of citrate, ascorbate, and acetate in photographic developer solution using ion-exclusion chromatography with suppressed conductivity detection.
- AN-P-083アンペロメトリック検出を用いたマイクロ蒸留による廃水中のシアン化物の測定
廃水中のシアン化物は、健康要件のために測定される重要なパラメータです。遊離シアン、弱結合および強結合錯体シアンは識別することができます。廃水における直接的な測定はマトリックス自体を鑑みると現実的ではありません。それゆえ総シアンは、全てのシアン化物を錯体から放出するサンプル酸性化、それに続くアルカリ溶液中でのシアン化物の蒸留ならびに吸収の後に測定されます。アンペロメトリック検出は金作用電極を用いて行われます。この電極は銀電極よりも汚染の問題が少なく長期安定性がより優れているために適切です。
- AN-PAN-1012無電解ニッケルめっき浴中のニッケルイオンおよび次亜りん酸塩含有量のオンライン分析
純粋なニッケルは銀白色の金属で、非常に硬く、耐食性があり、延性があります。これらの顕著な特性のために、ニッケルは、主にコーティングおよび表面工学において多くのアプリケーションで使用されています。無電解ニッケルめっきは、ニッケル‐リン合金の層を工作物の表面にめっきするための自己触媒化学技術です。この方法は、めっきのために金属イオンと反応する還元剤（次亜リン酸ナトリウム）の含有量に依存します。 しかし、めっき浴の薬品の寿命は限られているので、薬品の消費を自動的に監視することが重要なプロセス制御要件となります。めっき浴を長時間使用すると、薬品中の電解質は反応生成物で過負荷になり、工作物の表面および層の特性に悪影響を及ぼします。 このプロセスアプリケーションノートは、ニッケル‐リン合金の均一な層を確実にめっきさせるために、無電解ニッケルめっき浴中の各種活性浴成分を定期的にモニタリングする手法を提案します。
- AN-PAN-1054CMP工程における過酸化水素の オンラインモニタリング
ケミカル・メカニカル・ポリシャー«CMP»は、シリコンウェハ表面を滑らかにしたり研磨したりするために使用される主要な技術の1つです。一般的には、この工程では、脱イオン水、CMPスラリー(コロイド状シリコンやアルミナ液体分散体)、および過酸化水素(強酸化剤)を一定の濃度と比率で混合する工程です。過酸化水素は経時的に劣化するため、CMP工程を効率よく繰り返し行うためには、その濃度をオンラインで常時監視する必要があります。このように、CMPスラリーが常に規格内であることを確認し、必要に応じて混合物を調整することで、製品の歩留まりを抑制します。
- AN-PAN-1055半導体洗浄プロセスにおける品質パラメータのモニタリング
主要なSC1/SC2洗浄液成分の迅速なインラインモニタリングは、試薬を使用しない近赤外分光法、例えば2060 The NIR-Rアナライザーを用いて可能です。
- AN-PAN-1058イオンクロマトグラフ法による塩水のリチウムのオンライン測定
リチウムは、塩湖の塩水から得られる軟質アルカリ金属です。リチウムは様々な用途に使用されていますが、特に電気自動車や携帯電話などに搭載されるリチウムイオン電池の製造に多く使用されています。 このプロセスアプリケーションノートでは、幅広い濃度範囲のイオン性分析対象物を測定できるマルチパラメータ分析技術であるオンラインプロセスイオンクロマトグラフィー（IC）を用いて、塩水中のリチウムをはじめとする陽イオンをモニタリングする方法を紹介します。
- AN-PAN-1062Online monitoring of sulfuric acid and hydrogen peroxide using Raman spectroscopy
Etching is a vital process in semiconductor fabrication, involving the chemical removal of layers from the wafer substrate. Strict quality control measures are necessary to determine acid etchant concentrations in mixed acid solutions (e.g., SPM, DSP, or DSP+), critical for optimizing etch rate, selectivity, and uniformity during multiple wafer etching steps. This application presents a method to measure sulfuric acid and hydrogen peroxide in etching baths simultaneously using Raman spectroscopy with the PTRam Analyzer from Metrohm Process Analytics.
- AN-PAN-1067銅めっきプロセスにおける有機添加剤のオンライン分析
銅めっき浴における有機添加剤のモニタリングは重要です。2060 CVSプロセスアナライザーは、精密な浴制御を提供することで銅電気めっきを最適化します。
- AN-S-024Fluoride, chloride, and nitrate in an acidic nickel/zinc bath
Determination of fluoride, chloride, and nitrate in a solution of NiSO4, ZnSO4 in sulfuric acid using anion chromatography with conductivity detection after chemical suppression.
- AN-S-029Anions in an etching reagent
Determination of fluoride, nitrate, phosphate, and sulfate in an etching reagent using anion chromatography with conductivity detection after chemical suppression.
- AN-S-032ppt analysis (ng/L) in ion chromatography
Determination of chloride, nitrate, and sulfate in ultrapure water after sample preconcentration using anion chromatography with conductivity detection after chemical suppression.
- AN-S-106Four anions in process wastewater using the column Metrosep A Supp 1 - 250/4.6
Determination of chloride, nitrate, bromide, and sulfate in process wastewater using anion chromatography with conductivity detection after chemical suppression.
- AN-S-107Five anions in wastewater using the column Metrosep A Supp 3 - 250/4.6
Determination of fluoride, chloride, nitrate, phosphate, and sulfate in wastewater using anion chromatography with conductivity detection after chemical suppression.
- AN-S-151洗浄液中の微量陰イオンの定量
電気伝導度検出器とケミカルサプレッサを備えた陰イオンクロマトグラフィーを用いて、酸性洗浄溶液中の臭素酢酸イオン、メタンスルホン酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、硫酸イオンを定量します。
- AN-S-182Bromide and sulfur oxoanions in photographic developer solutions
Determination of bromide, sulfite, sulfate, and thiosulfate in a photographic developer solution using anion chromatography with conductivity detection after chemical suppression.
- AN-S-186Anions in wastewater containing N-methylpyrrolidone using inline matrix elimination
Determination of fluoride, acetate, formate, chloride, nitrite, nitrate, phosphate, and sulfate in wastewater containing N-methylpyrrolidone using anion chromatography with conductivity detection after chemical suppression and inline matrix elimination.
- AN-S-250水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAOH）中の微量陰イオンの定量
連続サプレッションおよびインラインマトリックス中和後に電気伝導度検出器を備えた陰イオンクロマトグラフィーを使用して、20% TMAOH 中のギ酸塩、塩化物、硝酸塩、リン酸塩、および硫酸塩を測定します。
- AN-S-317Determination of ions on surfaces of printed circuit boards
Cleanliness is indispensable in electronics production. Ionic contaminations in particular lead to a drastic worsening of the quality of the printed circuit boards. The present Application Note describes the determination of anions on printed circuit board surfaces. The intelligent Partial Loop Injection Technique (MiPT) used for this purpose permits the determination of cations and anions in the same sample. The determination of the cations is described in AN-C-149.
- AN-S-344大容量のカラムにおける「EL規格」硝酸中の陰イオン測定
EL規格（Electronic Grade）の硝酸に含まれる陰イオンによる汚れ（mg/Lの範囲）は、微量でなければなりません。このような微量陰イオンのイオンクロマトグラフィによる測定には、大容量のカラムの他に、その他全ての重要なイオンの後にはじめて硝酸塩をカラムから溶出する溶離剤が必要となります。この分離は、強い炭酸塩/炭酸水素塩溶離剤を用いてMetrosep A Supp 16 - 250/4.0のカラム型において行われます。
- AN-S-35230% 過酸化水素 (H2O2) 中のピロリン酸と陰イオン標準溶液測定
ピロリン酸塩は、過酸化水素水溶液の安定剤として使用されます。「Reagent grade」の過酸化水素には、高mg/Lの範囲でピロリン酸塩が含まれることがありますが、「electronic grade」の過酸化水素では、この安定剤を可能な限り含まないことが望まれます。本アプリケーションでは、高純度過酸化水素水液（30%）中のピロリン酸塩分析をインラインマトリックス除去（MiPCT-ME）とドジーノグラジエント分析法にて分析しました。
- AN-S-357イオンクロマトグラフィによる下水浄化システムでの下水の分析: Metrosep A Supp 4 - 250/2.0カラムを用いた陰イオンの測定
マイクロボア Metrosep A Supp 4 - 250/2.0 カラムは、重要なサンプルに含まれる陰イオンの分析に特に適しています。この技術資料では、下水サンプルが分析されています。サンプルに必要なのは、からむへの注入前に、ろ過をするだけです。陰イオンはシーケンシャルサプレッション後に電気伝導度検出器を用いて定量します。
- AN-S-365濃縮半導体級水酸化アンモニウム中の陰イオン不純物
この技術資料では、イオンクロマトグラフを使用した、半導体グレード28%水酸化アンモニウム溶液に含まれる陰イオン不純物の測定について紹介しています。サンプルマトリックスの妨害を避けるため、サンプルマトリックス除去を伴うインライン中和およびインライン予備濃縮を使用しています。
- AN-S-393過酸化水素と水酸化アンモニウム中の陰イオンの測定
半導体の製造工程では超高純度の化学薬品が必要とされます。化学薬品の純度は、パーツの品質ならびに効率的な製造には欠かせません。この技術資料では、過酸化水素と水酸化アンモニウムが、超純水を使用した分解ならびに蒸発といった従来のサンプル前処理工程を行い分析されます。得られたサンプルは、インテリジェント濃縮テクニック (MiPCT) を用いて注入されます。
- AN-T-034Hydrofluoric and nitric acid in etching baths
Determination of hydrofluoric and nitric acid in etching baths by potentiometric titration.a) Determination of the total acid content using the combined Sb electrode and NaOH as titrant.b) Determination of hydrofluoric acid using the F-ISE and the titrant La(NO3)3.The concentration of nitric acid is then determined by calculation.
- AN-T-100自動滴定装置による酸性銅めっき浴中の塩化物イオンの測定
この技術資料では、電位差自動滴定装置を使用した酸性銅鍍金液浴中の塩化物イオン測定を紹介しています。
- AN-T-223自動滴定装置による電気めっき浴の完全自動分析
電気めっきは、製品の表面を腐食や摩耗から保護し、その使用寿命を大幅に延ばすために利用されています。電気めっき浴の代表的な例としては、アルカリ性の脱脂浴、銅、ニッケル、クロムなどの金属や、塩化物、シアン化物といった成分を含む酸性またはアルカリ性の浴液です。OMNIS サンプルロボットシステムは、自動的にサンプルをピペッティングし、分析を行うことで、手動滴定と比較してより信頼性の高い結果が得られ、複数のパラメータを並行して分析できるため、時間効率も向上します。
- AN-T-226Determination of functional groups in graphite and graphene oxide
Boehm titration is a quantitative analysis of functional groups on the surface of carbon materials based on their reactions with basic solutions of NaHCO3 (pKa = 6.4), Na2CO3 (pKa = 10.3), and NaOH (pKa = 15.7). This is a cost-efficient method that gives absolute values with high precision of the accessible, mainly oxygen-containing functional groups on the surface. Originally, Boehm titration was developed for carbon materials like conductive carbon black (CCB), activated carbon, porous carbon, and graphite. Modern carbon-based materials like graphene, graphene oxide (GO), or carbon nanotubes can also be analyzed this way.
- AN-T-234混合酸と TMAH の滴定で メトロームの滴定装置OMNIS と Titrando の比較実験
この技術資料は、メトロームの自動滴定装置OMNIS と 888タイトランドの両方を保有している台湾のお客様が、実際に比較実験して、アルミニウム エッチング浴中の硝酸、リン酸、酢酸の測定、水酸化テトラメチルアンモニウム (TMAH) の濃度定量をしたデータをいただいたものです。同一の分析パラメーターが使用され、OMNIS が他の滴定装置と同等またはそれ以上の結果をもたらすことが示されました。
- AN-T-235カーボンブラックのpH測定
この技術資料では、ASTM D1512およびISO 787-9、GB/T 1717に準拠したpH電極を装備した913 pHメーターを使用して、カーボンブラック中のpH値を正確かつ確実に分析します。
- AN-U-048Silicate and hexafluorosilicate
Determination of silicate and hexafluorosilicate (calculated) using anion chromatography with conductivity detection after chemical suppression (see AN S-277) and subsequent UV/VIS detection with post-column reaction. Hexafluorosilicate is hydrolyzed into fluoride and silicate. Both anion concentrations may be used for the calculation of the SiF62- concentration.
- AN-V-010Zinc, cadmium, lead, copper, iron, nickel, and cobalt in NaOH in one run
Simultaneous determination of Zn, Cd, Pb, Cu, Fe, Ni, and Co in 50% NaOH.
- AN-V-019無電解ニッケルめっき液中の鉛(Pb)の濃度定量
無電解ニッケルめっきは、様々な工業生産プロセスで使用されています。プリント回路基板の製造におけるENIG（無電解ニッケル、無電解金）プロセスとENEPIG（無電解ニッケル、無電解パラジウム、無電解金）プロセスは、無電解ニッケルめっきプロセスの最初のステップであるため、この工程の歩留まりに大きく関与しています。めっき不良による規格外製品の量を減らすことで、メーカーは大幅なコスト削減を実現できます。 ディファレンシャル・パルス・アノード・ストリッピング・ボルタンメトリーは、希釈後の活性鉛(Pb)濃度を測定するために使用することができます。ボルタンメトリーによる定量は、この用途において、簡便、高感度、選択的で干渉を受けない方法として確立されています。
- AN-V-028Zinc, cadmium, lead, nickel, and cobalt in hydrochloric acid
Determination of Zn, Cd, Pb, Ni, and Co in hydrochloric acid (37.8%).
- AN-V-029Zinc, cadmium, lead, nickel, and cobalt in Javelle water
Determination of Zn, Cd, Pb, Ni, and Co in Javelle water.
- AN-V-030Zinc, cadmium, lead, nickel, and cobalt in iron(III) chloride solution (40%)
Determination of Zn, Cd, Pb, Ni, and Co in FeCl3 solution of 40%.
- AN-V-129Iron (total) in phosphoric acid
The concentration of Fe is determined polarographically in phosphoric acid. The method is suitable for iron in concentrations in the ppm range. Fe(II) and Fe(III) show signals with the same sensitivity
- AN-V-131Nickel and cobalt in sulfuric acid
The concentration of Ni and Co is determined by adsorptive stripping voltammetry at the HMDE with dimethylglyoxime (DMG) as complexing agent.
- AN-V-132Iron in sulfuric acid
The concentration of Fe is determined by adsorptive stripping voltammetry at the HMDE with 1-nitroso-2-naphthol (1N2N) as complexing agent.
- AN-V-133抑制剤(サプレッサー) «Copper Gleam 2001 Carrier» (ローム・アンド・ハース) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Copper GleamTM 2001 Carrier» の濃度測定を説明します。
- AN-V-134光沢剤(ブライトナー) «Copper Gleam 2001 Additive» (ローム・アンド・ハース) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «Copper GleamTM 2001 Additive» の濃度測定を説明します。
- AN-V-135抑制剤(サプレッサー) «Cupracid BL-CT» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Cupracid BL-CT» の濃度測定を説明します。
- AN-V-136光沢剤(ブライトナー) «Cupracid BL» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたLAT法（Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «Cupracid BL» の濃度測定を説明します。
- AN-V-137抑制剤(サプレッサー) «Cupraspeed» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Cupraspeed» の濃度測定を説明します。
- AN-V-138光沢剤(ブライトナー) «Cupraspeed» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «Cupraspeed» の濃度測定を説明します。
- AN-V-141抑制剤(サプレッサー) «MACuSpec PPR 100 Wetter» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«MACuSpecTM PPR 100 Wetter» の濃度測定を説明します。
- AN-V-142光沢剤(ブライトナー) «MACuSpec PPR 100» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «MACuSpecTM PPR 100 Brightener» の濃度測定を説明します。
- AN-V-143抑制剤(サプレッサー) «Multibond 100 Part A20» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «MultiBondTM 100 Part A20»の濃度測定を説明します。
- AN-V-144抑制剤(サプレッサー) «Ronastan TP Additive» (ローム・アンド・ハース) すず/鉛合金めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)によるすず/鉛合金めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Ronastan TP Additive» の測定
- AN-V-145抑制剤(サプレッサー) «Solderon ST-200 Primary» (ローム・アンド・ハース) すずめっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)によるすずめっき液の抑制剤(サプレッサー) «Solderon ST-200 Primary» の濃度測定を説明します。
- AN-V-146抑制剤(サプレッサー) «InPulse H6» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Pulse Voltammetric Stripping (CPVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «InPulse H6» の濃度測定を説明します。
- AN-V-147光沢剤(ブライトナー) «InPulse H6» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー）«InPulse H6»の濃度測定を説明します。
- AN-V-148スルファミン酸ニッケルめっき液中の ニッケル(Ni)の濃度測定
スルファミン酸ニッケルめっき液中の ニッケル(Ni)の濃度は、pH 9.6 のアンモニア緩衝液中でポーラログラフィーによって測定されます。
- AN-V-151無電解ニッケルめっき液中のアンチモン(III) (Sb(III))および全アンチモン(T-Sb)の濃度測定
無電解ニッケルめっき液中の アンチモン(III) (Sb(III)) および 全アンチモン(T-Sb) の濃度は、アノード ストリッピング ボルタンメトリー (ASV) によって測定されます。 c(HCl) = 0.6 mol/L では、Sb(III)濃度 のみが測定されます。 w(HCl) = 10% では、T-Sb 濃度が測定されます。
- AN-V-155抑制剤(サプレッサー) «スルーカップ EVF-B»（上村工業）酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «スルーカップ EVF-B» の濃度測定を説明します。
- AN-V-156光沢剤(ブライトナー) «スルカップEVF-1A»（上村工業）酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «スルーカップ EVF-1A» の濃度測定を説明します。
- AN-V-157平滑剤(レベラー) «スルカップEVF-R»（上村工業）酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたRC法（Response Curve technique)による酸性銅めっき液の平滑剤(レベラー) «スルカップEVF-R» の濃度測定を説明します。
- AN-V-160Palladium in an activator
The concentration of Pd in an activator bath is determined by polarography in ammonium chloride electrolyte.
- AN-V-182抑制剤(サプレッサー) «トップルチナa-M»（奥野製薬工業）酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «トップルチナα-M» の濃度測定を説明します。
- AN-V-183光沢剤 (ブライトナー) «トップルチナa-2»（奥野製薬工業) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «トップルチナα-2» の濃度測定を説明します。
- AN-V-184平滑剤(レベラー) «トップ・ルチナa-3»（奥野製薬工業）酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたRC法（Response Curve technique) による酸性銅めっき液の平滑剤(レベラー) «トップルチナα-3» の濃度測定を説明します。
- AN-V-185Cadmium and lead in electronic components as part of electrotechnical products
The EU directive on «Restriction of Hazardous Substances» (RoHS) requires the testing of four regulated heavy metals (Pb, Hg, Cd, Cr(VI)) in electrotechnical products. After sample preparation according to IEC 62321 the determination of lead and cadmium in electronic components can be carried out by anodic stripping voltammetry (ASV) using ammonium oxalate buffer pH 2.
- AN-V-186Chromium(VI) in electronic components as part of electrotechnical products
The EU directive on «Restriction of Hazardous Substances» (RoHS) requires the testing of four regulated heavy metals (Pb, Hg, Cd, Cr(VI)) in electrotechnical products. After sample preparation according to IEC 62321 the determination of chromium(VI) in electronic components can be carried out by polarography in ammonia buffer pH 9.6.
- AN-V-187Mercury in electronic components as part of electrotechnical products
The EU directive on «Restriction of Hazardous Substances» (RoHS) requires the testing of four regulated heavy metals (Pb, Hg, Cd, Cr(VI)) in electrotechnical products. After sample preparation according to IEC 62321 the determination of mercury in electronic components can be carried out by anodic stripping voltammetry (ASV) at a gold rotating disk electrode (Au-RDE).
- AN-V-188Cadmium and lead in polymer materials as part of electrotechnical products
The EU directive on «Restriction of Hazardous Substances» (RoHS) requires the testing of four regulated heavy metals (Pb, Hg, Cd, Cr(VI)) in electrotechnical products. After sample preparation according to IEC 62321 the determination of lead and cadmium in polymer materials can be carried out by anodic stripping voltammetry (ASV) using ammonium oxalate buffer pH 2.
- AN-V-189Chromium(VI) in polymer materials as part of electrotechnical products
The EU directive on «Restriction of Hazardous Substances» (RoHS) requires the testing of four regulated heavy metals (Pb, Hg, Cd, Cr(VI)) in electrotechnical products. After sample preparation according to IEC 62321 the determination of chromium(VI) in polymer materials can be carried out by polarography in ammonia buffer pH 9.6.
- AN-V-190Mercury in polymer materials as part of electrotechnical products
The EU directive on «Restriction of Hazardous Substances» (RoHS) requires the testing of four regulatedheavy metals (Pb, Hg, Cd, Cr(VI)) in electrotechnical products. After sample preparation according to IEC62321 the determination of mercury in polymer materials can be carried out by anodic stripping voltammetry (ASV)at a gold rotating disk electrode (Au-RDE).
- AN-V-191Cadmium and lead in metallic materials as part of electrotechnical products
The EU directive on «Restriction of Hazardous Substances» (RoHS) requires the testing of four regulated heavy metals (Pb, Hg, Cd, Cr(VI)) in electrotechnical products. After sample preparation according to IEC 62321 the determination of lead and cadmium in metallic materials can be carried out by anodic stripping voltammetry (ASV) using ammonium oxalate buffer pH 2.
- AN-V-192電気・電子製品の構成要素である金属材料のクロメート皮膜中の六価クロムCr (VI) の定量
EUの「特定有害物質使用制限指令（RoHS）」では、電気・電子製品中の4種の規制重金属（鉛［Pb］、水銀［Hg］、カドミウム［Cd］、六価クロム［Cr(VI)］）の試験が要求されています。 IEC 62321 に準拠した試料前処理を行った後、金属材料上のクロメート皮膜中の六価クロムは、DTPA（ジエチレントリアミン五酢酸）を錯化剤として用いた吸着ストリッピングボルタンメトリー（AdSV）により定量することが可能です。
- AN-V-193Mercury in metallic materials as part of electrotechnical products
The EU directive on «Restriction of Hazardous Substances» (RoHS) requires the testing of four regulated heavy metals (Pb, Hg, Cd, Cr(VI)) in electrotechnical products. After sample preparation according to IEC 62321 the determination of mercury in metallic materials can be carried out by anodic stripping voltammetry (ASV) at a gold rotating disk electrode (Au-RDE).
- AN-V-195無電解ニッケル浴中のよう素酸の濃度測定
鉛は、かつて無電解ニッケルめっきプロセスで安定剤として一般的に使用されていました。安定剤濃度の定期的かつ正確な測定は、めっきプロセスを安定した条件下で正常に稼動させるために不可欠です。近年、消費者製品、特に電子機器への鉛の使用が制限されるようになったため、代替安定剤が開発・導入されました。鉛の代替として使用される安定剤のひとつに、ヨウ素酸（IO3-）があります。 無電解ニッケルめっきは、さまざまな工業生産プロセス（ハードディスクの生産、腐食や摩耗からの保護など）で使用されています。プリント基板(PCB)の製造におけるENIG(無電解ニッケル、無電解金)およびENEPIG(無電解ニッケル、無電解パラジウム、無電解金)プロセスは、無電解ニッケルめっきがプロセスの最初の工程であるため、無電解ニッケルめっきプロセスの最初のステップであるため、この工程の歩留まりに大きく関与しています。 ポーラログラフィーは、支持電解液で希釈した後のヨウ素酸の含有量を測定するために使用することができ、このアプリケーションのための簡単、高感度、選択的で干渉を受けることのない方法として確立されています。
- AN-V-196アノードストリッピングボルタンメトリー(ASV)による安定剤の濃度測定
プリント回路基板の製造におけるENIG（無電解ニッケル、無電解金）プロセスとENEPIG（無電解ニッケル、無電解パラジウム、無電解金）プロセスは、無電解ニッケルめっき工程の最初のステップであるため、この工程の歩留まりに非常に関与しています。 ディファレンシャル・パルス・アノード・ストリッピング・ボルタンメトリー は、安定剤の濃度測定に適した、高感度、高選択性、干渉のない簡便な方法として確立されています。
- AN-V-199金めっき浴中の金（Au(I)）のボルタンメトリーによる定量
高品質な金めっきを実現するためには、金めっき浴中の一価金（Au(I)）濃度を適切に管理することが重要です。" Multi-Mode Electrode Pro " を用いたボルタンメトリー分析は、そのための効率的な分析手法です。
- AN-V-236無電解ニッケル浴中のアンチモン (Sb) 安定剤の定量
無電解ニッケルめっき中の三価アンチモン（Sb(III)）安定剤の濃度管理は、高品質なコーティングを実現するうえで非常に重要です。アノードストリッピングボルタンメトリーは、迅速かつ信頼性の高いSb(III)の分析を可能にします。
- AN-V-237無電解ニッケルめっき浴中の鉛 (Pb) 安定剤の定量
無電解ニッケルめっきは、低コストで優れた耐摩耗性および耐食性を実現します。ニッケルめっき浴中の鉛系安定剤の濃度は、ビスマスドロップ電極を用いることでモニタリングが可能です。
- AN-V-238無電解ニッケルめっき浴中のビスマス (Bi) 安定剤の定量
無電解ニッケルめっきは、優れた表面仕上げと耐食性を提供します。アノードストリッピングボルタンメトリー法により、ニッケルめっき浴中のビスマス安定剤のモニタリングが可能です。
- AN-V-242brightRC – Advanced brightener analysis with a response curve
brightRC enables reliable CVS (or CPVS) brightener quantification without repeated standard additions, especially for additive systems with nonlinear signal behavior. By using external response curve (RC) calibration and flexible regression, it avoids systematic errors inherent to linear standard addition methods and significantly reduces analysis time. This makes brightRC ideal for high throughput routine control in stable copper plating baths.
- BWT-4902Si結晶性のラマン分析
532 nm励起のラマン分光装置は、混合相シリコン膜の結晶性およびアモルファス量の研究に使用されます。
- TA-020IC-MS and IC-ICP/MS analysis in the environment
This article describes the coupling of ion chromatography with mass spectrometry (IC-MS) and plasma mass spectrometry (IC-ICP/MS) for the trace analysis of potentially hazardous compounds in the environment.
- TA-021Determination of the halogen and sulfur content in complex organic matrices by means of Combustion Ion Chromatography (CIC)
The automated combination of pyrolysis and subsequent ion chromatography (Combustion IC) permits the parallel detection of halogens and sulfur in all flammable solid and liquid matrices. The method is captivating, not only because of its outstanding precision and trueness, but also because of the high sample throughput.
- プロセス分析計による現像液中の水酸化テトラメチルアン モニウム(TMAH)のオンライン モニタリング現像液中の水酸化テトラメチルアン モニウム(TMAH)のオンライン モニタリング
水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)は、主に集積回路（IC）、プリント基板（PCB）、フラットパネルディスプレイ（LCD）の製造に用いられる第4級アモニウム塩で、これらのデバイス製造時のフォトリソグラフィ工程で最もよく使用されます。このプロセスアプリケーションノートでは、オンラインプロセス滴定により現像液中のTMAH濃度をモニターする方法を紹介します。これは、複合pH電極を用いてTMAHを正確に監視することができるマルチパラメータ分析技術です。
- WP-046NIR分光電気化学における水性限界の克服
NIR分光法にはこれまで、このスペクトル範囲での吸水が原因での限界がありました。このように、よく知られた水分限界は、NIR分光電気化学のための新たなアプリケーションの開発を制限してきました。この文書では、このスペクトル範囲での水性の働きかけを最小化するか、あるいは除去までもできるいくつかの興味深い代替法を紹介します。
- WP-051多成分めっき浴の自動CVSメソッドの開発および最適化
過去30年間、サイクリックボルタンメトリーストリッピング (CVS) は回路基板やウエハめっき産業における銅めっき浴の有機添加物の分析のための標準メソッドでした。このような浴槽の成分のバリエーションにより、より最適なメソッド開発ルーチンへのニーズが生まれました。CVSのためのハードウェアならびにソフトウェアプロトコルにおける新たな向上により、かなりの範囲においてメソッド最適化のあらゆるプロセスが簡素化されました。この研究では、メソッド最適化のプロセスはこれらのプロトコルのとの併用において議論されています。
- WP-067ASTM E1655に準拠した半導体酸浴槽の品質管理 – 近赤外分光法で時間とコストを効率的に
マイクロエレクトロニクスとプリント基板 (PCBs) に対する需要は、最新の消費者機器製造のため、より多くのフラットパネルディスプレイ、LED、太陽電池、およびその他の重要な中間体が必要となるのと並行して、着実に増加しています。これは、高い品質基準を維持しつつ納期通りに配送しなければならないという課題が生じたとはいえ、半導体産業にとって好ましい状況です。成功するには、生産効率の向上のため、複数のプロセスを最適化する必要があります。 このホワイトペーパーは、マイクロエレクトロニクスおよびプリンテッドエレクトロニクスのエッチング用の酸浴槽の品質評価のための最新分析メソッド、近赤外 (NIR) 分光法の能力について説明しています。分析時間が1分以下に大幅に短縮されるだけでなく、関連するランニングコストも大幅に削減されます – もちろん、生産効率の向上も見逃すことのできないポイントです。
- WP-083電気化学測定とラマン分光法を組み合わせた分析
この技術資料では、ラマン分光法と電気化学測定を組み合わせたシステムを紹介しています。
- WP-086イオンクロマトグラフィーを検出器として質量分析計による有機酸と無機陰イオンの測定
この技術資料では、さまざまなサンプル中の有機酸と無機陰イオンを簡単に同定および定量するため、 IC-MS アプリケーションでの分析例を紹介しています。
- WP-094OMNIS NIRアナライザー:ラボの効率性を向上
このホワイトペーパーでは、近赤外分析法のコンセプトと利点について紹介し、メトローム OMNIS NIRを用いた様々なラボ分析室での適用事例を紹介します。
- WP-097なぜOMNISクライアント／サーバー（C/S）に切り替えるべきなのか？
OMNISクライアント/サーバーは、拡張性のあるサーバー管理により業務効率を向上させ、拠点全体のハードウェア、エネルギー使用量、保守コストを削減することでコスト削減を実現します。
