ストリッピングボルタンメトリー法による「電子材料グレード」材料中の７元素の同時微量分析
AB-147
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カドミウム（Cd）、コバルト（Co）、銅（Cu）、鉄（Fe）、ニッケル（Ni）、鉛（Pb）、亜鉛（Zn）の7元素を、ストリッピングボルタンメトリーによりサブppbレベル（検出限界0.05 µg/L）で定量した。Cd、Cu、Pb、Znの測定には二重パルス非拡散型アノード溶出ボルタンメトリー（DP-ASV）法を用い、Co、Ni、Feについては二重パルス還元溶出ボルタンメトリー（DP-CSV）法を用いた（ジメチルグリオキシムまたはカテコール錯体を利用）。VAプロセッサーおよびサンプルチェンジャーを使用することで、これら金属イオンを含む一溶液中の自動同時測定が可能である。本法はシリコンを基盤とした半導体チップ製造における微量分析のために特別に開発されたものであるが、環境分析分野にも十分応用可能である。
カドミウム（Cd）、コバルト（Co）、銅（Cu）、鉄（Fe）、ニッケル（Ni）、鉛（Pb）、亜鉛（Zn）の金属元素を、ストリッピングボルタンメトリーによりサブppbレベル（検出限界0.05 µg/L）で定量しました。Cd、Cu、Pb、およびZnの測定にはDP-ASV法*1を用い、Co、Ni、Feについては、ジメチルグリオキシムまたはカテコール錯体を用いたDP-CSV法*2により分析します。
＊1： DP-ASV法（微分パルス-アノーディックストリッピングボルタンメトリー法）
＊2： DP-CSV法（微分パルス-カソーディックストリッピングボルタンメトリー法）
VAプロセッサーおよびサンプルチェンジャーの使用により、上述の金属イオンを含む一溶液中の自動同時測定が可能となります。本手法はシリコンを基盤とした半導体デバイス製造における微量分析のために特別に開発されたものでありますが、環境分析分野においても十分に応用可能となります。