Die Raman-Spektroskopie mit einer Laseranregung bei 532 nm wird verwendet, um den kristallinen und amorphen Anteil von Mischphasen-Siliziumschichten zu untersuchen.
Die Raman-Spektroskopie mit einer Laseranregung bei 532 nm wird verwendet, um den kristallinen und amorphen Anteil von Mischphasen-Siliziumschichten zu untersuchen.