CVS (サイクリックボルタンメトリーストリッピング )アプリケーション
サイクリックボルタンメトリックストリッピング（CVS）は、めっき浴中の有機添加剤の含有量を分析するための電気化学的手法です。メトロームでは、メトロームでは、異なる添加剤に対するCVSアプリケーションが検索できます。
- AN-V-242brightRC – Advanced brightener analysis with a response curve
brightRC enables reliable CVS (or CPVS) brightener quantification without repeated standard additions, especially for additive systems with nonlinear signal behavior. By using external response curve (RC) calibration and flexible regression, it avoids systematic errors inherent to linear standard addition methods and significantly reduces analysis time. This makes brightRC ideal for high throughput routine control in stable copper plating baths.
- 【技術資料】半導体製造プロセスの工程と品質管理に欠かせない分析【技術資料】半導体製造プロセスの工程と品質管理に欠かせない分析法
この技術資料カタログは、半導体製造に関わる品質管理において、メトロームの分析機器を使用して分析可能なパラメータを一覧にまとめたものです。
- AN-PAN-1067銅めっきプロセスにおける有機添加剤のオンライン分析
銅めっき浴における有機添加剤のモニタリングは重要です。2060 CVSプロセスアナライザーは、精密な浴制御を提供することで銅電気めっきを最適化します。
- AN-V-137抑制剤(サプレッサー) «Cupraspeed» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Cupraspeed» の濃度測定を説明します。
- AN-V-202smartDTによる酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)の濃度測定
DT法 (Dilution Titration technique) による抑制剤(サプレッサー)の濃度測定では、評価比(Q/Q(0))に達するまで標準液または試料を何度も添加します。通常、固定された等量添加量が使用されます。smartDTでは、ソフトウェアによって自動的に計算される可変添加量が使用されます。最初のうちは添加量は多めです。評価比(Q/Q(0))に近づくにつれ、結果の精度を保証するために、添加量を少なくします。オペレーターは、使用する最初と最少の添加量を設定します。その間のすべての添加量は、測定の進捗を考慮してソフトウェアによって計算されます。インテリジェントな添加機能を持つsmartDTを使用すると、従来のDTと同じかそれ以上の精度で、抑制剤(サプレッサー)の濃度測定を大幅に高速化することができます。1回の測定で20～40％の時間短縮が可能となります。
- AN-V-145抑制剤(サプレッサー) «Solderon ST-200 Primary» (ローム・アンド・ハース) すずめっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)によるすずめっき液の抑制剤(サプレッサー) «Solderon ST-200 Primary» の濃度測定を説明します。
- AB-420動的加算ボリュームを使用したキャリブレーション手法«smartDT»を使用したCVSによるサプレッサーの決定
Application Bulletinは、smartDTによる酸性銅浴中のサプレッサーの測定について説明しています。希釈滴定（DT）によるサプレッサーの測定には、評価比に到達するための標準溶液またはサンプルの多数の添加が含まれます。通常、固定された等距離の追加ボリュームが使用されます。smartDTでは、ソフトウェアによって動的に計算される可変加算量が使用されます。最初は、ボリュームが大きくなっています。評価率に向けて、添加量を少なくし、精度の高い結果を保証します。オペレーターは、使用する最初の最小の追加ボリュームを定義します。その間のすべてのボリュームは、決定の進行状況を考慮してソフトウェアによって計算されます。追加ボリュームが固定された従来のDTと比較して、smartDTを使用すると、最大40％の時間を節約できます。 smartDTは、線形補間だけでなく、非線形回帰と2次回帰にも適しています。酸性銅浴、スズおよびスズ鉛浴のサプレッサーの測定に使用でき、1、2、および3mmのPt作用電極で機能します。サプレッサー標準またはサンプルの自動追加には、800Dosinoが必要です。この方法は、完全に自動化されたシステムでも使用できます。
- WP-051多成分めっき浴の自動CVSメソッドの開発および最適化
過去30年間、サイクリックボルタンメトリーストリッピング (CVS) は回路基板やウエハめっき産業における銅めっき浴の有機添加物の分析のための標準メソッドでした。このような浴槽の成分のバリエーションにより、より最適なメソッド開発ルーチンへのニーズが生まれました。CVSのためのハードウェアならびにソフトウェアプロトコルにおける新たな向上により、かなりの範囲においてメソッド最適化のあらゆるプロセスが簡素化されました。この研究では、メソッド最適化のプロセスはこれらのプロトコルのとの併用において議論されています。
- AN-V-134光沢剤(ブライトナー) «Copper Gleam 2001 Additive» (ローム・アンド・ハース) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «Copper GleamTM 2001 Additive» の濃度測定を説明します。
- AN-V-138光沢剤(ブライトナー) «Cupraspeed» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «Cupraspeed» の濃度測定を説明します。
- AN-V-144抑制剤(サプレッサー) «Ronastan TP Additive» (ローム・アンド・ハース) すず/鉛合金めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)によるすず/鉛合金めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Ronastan TP Additive» の測定
- AN-V-157平滑剤(レベラー) «スルカップEVF-R»（上村工業）酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたRC法（Response Curve technique)による酸性銅めっき液の平滑剤(レベラー) «スルカップEVF-R» の濃度測定を説明します。
- AN-V-141抑制剤(サプレッサー) «MACuSpec PPR 100 Wetter» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«MACuSpecTM PPR 100 Wetter» の濃度測定を説明します。
- AN-V-136光沢剤(ブライトナー) «Cupracid BL» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたLAT法（Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «Cupracid BL» の濃度測定を説明します。
- AN-V-142光沢剤(ブライトナー) «MACuSpec PPR 100» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «MACuSpecTM PPR 100 Brightener» の濃度測定を説明します。
- AN-V-146抑制剤(サプレッサー) «InPulse H6» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Pulse Voltammetric Stripping (CPVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «InPulse H6» の濃度測定を説明します。
- AN-V-155抑制剤(サプレッサー) «スルーカップ EVF-B»（上村工業）酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «スルーカップ EVF-B» の濃度測定を説明します。
- AN-V-183光沢剤 (ブライトナー) «トップルチナa-2»（奥野製薬工業) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «トップルチナα-2» の濃度測定を説明します。
- AN-V-135抑制剤(サプレッサー) «Cupracid BL-CT» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Cupracid BL-CT» の濃度測定を説明します。
- AN-V-143抑制剤(サプレッサー) «Multibond 100 Part A20» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «MultiBondTM 100 Part A20»の濃度測定を説明します。
- AN-V-147光沢剤(ブライトナー) «InPulse H6» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー）«InPulse H6»の濃度測定を説明します。
- AN-V-156光沢剤(ブライトナー) «スルカップEVF-1A»（上村工業）酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法（Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤（ブライトナー） «スルーカップ EVF-1A» の濃度測定を説明します。
- AN-V-184平滑剤(レベラー) «トップ・ルチナa-3»（奥野製薬工業）酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたRC法（Response Curve technique) による酸性銅めっき液の平滑剤(レベラー) «トップルチナα-3» の濃度測定を説明します。
- AN-V-133抑制剤(サプレッサー) «Copper Gleam 2001 Carrier» (ローム・アンド・ハース) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Copper GleamTM 2001 Carrier» の濃度測定を説明します。
- AN-V-182抑制剤(サプレッサー) «トップルチナa-M»（奥野製薬工業）酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «トップルチナα-M» の濃度測定を説明します。
