依托2200余项先进应用方案，采用精准度非常高的实验室技术，助您提升分析效能。
先进半导体与光电器件生产需要可靠精密的分析仪器，以满足严格的质量参数要求
半导体生产需要高质量标准以消除痕量污染物——这是晶圆缺陷的主要根源。监测水质纯度、蚀刻槽酸液、电镀槽金属含量及离子杂质，对优化半导体生产效率与提高良率至关重要。
痕量分析对测量设备和分析方法提出特殊挑战。基质效应通常因分析物浓度过低而加剧。为获得更准确的分析结果，瑞士万通打造了一系列集成化样品前处理方案（如预浓缩或基质消除）。
瑞士万通提供适用于实验室及工艺流程应用的优质分析仪器，确保从槽液成分监控到杂质检测等环节的精密可靠分析。您还可依托我们的专业知识与专业现场服务，为半导体生产提供支持与优化。
探索前沿创新分析解决方案
自动化CVS方法开发与多组分电镀槽优化
下载白皮书，深入了解如何优化CVS方法用于电镀铜槽分析。
产品
瑞士万通为半导体制造每个环节提供支持，通过稳定、高精度的分析解决方案，涵盖痕量离子分析、金属污染、蚀刻与电镀槽液等检测需求。
- WP-097为何选择OMNIS客户端/服务器（C/S）架构？
OMNIS客户端/服务器架构通过可扩展的服务器管理提升业务绩效，通过减少跨地点的硬件、能源消耗和维护成本来降低运营开支。
- AN-H-140磷酸、硝酸和醋酸混合物的滴定
使用温度滴定法 (TET) 可轻松测定蚀刻槽中的硝酸、磷酸和醋酸。与电位滴定法相比，TET 更快、更方便。不到两分钟即可完成分析。
- AN-V-199镀金液中金（I）的伏安法测定
控制镀金液中金（I）的含量是保证高质量的必要条件。使用多模式电极 Pro 进行伏安分析是一种有效的解决方案。
- AN-EIS-009Mott-Schottky 分析
本应用简报介绍了 Mott-Schottky 测量法，它是电化学阻抗能谱法 (EIS) 的延伸，适用于一种常用的半导体材料。
- AN-V-236化学镍镀液中的锑稳定剂
在化学镍电镀过程中，监测锑（III）稳定剂的含量对于获得高质量的镀层至关重要。阳极剥离伏安法可提供快速、可靠的 Sb（III）分析。
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