滴定/水分/イオンクロマトグラフィ/近赤外分析/ラマン分光/ポテンショスタット/ガルバノスタット/プロセス分析/pH/イオン/導電率/DO/酸化安定性試験/ボルタンメトリー/CVS
アプリケーション(技術資料)
イオンクロマトグラフィのお勧め技術情報!【コラム】ご隠居達のIC四方山話
※ 並び替えをz-a 順にすると、概要を日本語に訳したアプリケーションが上位に表示されやすくなります。
※ PDFドキュメントは英語版と日本語訳版の両方が混在しています。
※「日本語」というキーワードを入力すると、日本語訳版だけが表示されます。
- AN-V-177クロムめっき液中の鉄(Fe)の濃度測定 (臭素酸トリエタノールアミン法)
全鉄(T-Fe)の濃度は、トリエタノールアミン(TEA)とKBrO3を含むアルカリ電解液中で、ポーラログラフィーにより測定されます。試薬には、Feを不純物として含む恐れがあります。そのため、試薬ブランクの差し引きが推奨されます。
- AN-V-200Determination of thiourea in copper electrorefining solutions
Thiourea measurement during copper electrorefining can be complicated by high chloride levels. Voltammetric analysis overcomes this issue, improving copper quality.
- AN-V-128電解クロムめっき液中の全鉄(T-Fe)の濃度測定
電解クロムめっき液中の全鉄(T-Fe)濃度をポーラログラフで測定します。この手法はppm範囲の濃度の鉄(Fe)に適してます。Fe(II)とFe(III)は同じ感度でシグナルを示します。
- AN-V-168りん酸塩処理液中の鉛(Pb)の濃度測定
りん酸-亜鉛処理液中の鉛(Pb)の濃度は、HCl電解液中でアノード ストリッピング ボルタンメトリー(ASV)により測定されます。
- AN-V-079めっき液中のゲルマニウム(Ge)の濃度測定
ゲルマニウム(Ge)は、支持電解液として酢酸バッファー、錯化剤としてカテコールを用い、HMDEで吸着 ストリッピング ボルタンメトリー(AdSV)により測定することができます。
- AN-V-024エッチング液中の銅(Cu)とクロム(Cr)の濃度測定
エッチング液中の銅(Cu)とクロム(Cr)の濃度測定について説明します。マンガン(Mn)とニッケル(Ni)の濃度が高いため、銅(Cu)はEDTA錯体として、マンガン(Mn)はDTPA錯体として測定します。
- AN-V-164チタン材料酸洗浄液中の チタン(Ti )の濃度測定
チタン材料酸洗浄液中の チタン(Ti )の濃度は、シュウ酸電解液中でのポーラログラフィーによって測定されます。
- AN-V-133抑制剤(サプレッサー) «Copper Gleam 2001 Carrier» (ローム・アンド・ハース) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Copper GleamTM 2001 Carrier» の濃度測定を説明します。
- AN-V-135抑制剤(サプレッサー) «Cupracid BL-CT» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Cupracid BL-CT» の濃度測定を説明します。
- AN-V-136光沢剤(ブライトナー) «Cupracid BL» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたLAT法(Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «Cupracid BL» の濃度測定を説明します。
- AN-V-137抑制剤(サプレッサー) «Cupraspeed» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Cupraspeed» の濃度測定を説明します。
- AN-V-167りん酸塩処理液中のカドミウム(Cd)の濃度測定
りん酸-亜鉛処理液中のカドミウム(Cd)の濃度は、HCl電解液中でポーラログラフィーにより測定されます。
- AN-V-184平滑剤(レベラー) «トップ・ルチナa-3»(奥野製薬工業)酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたRC法(Response Curve technique) による酸性銅めっき液の平滑剤(レベラー) «トップルチナα-3» の濃度測定を説明します。
- AN-V-134光沢剤(ブライトナー) «Copper Gleam 2001 Additive» (ローム・アンド・ハース) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «Copper GleamTM 2001 Additive» の濃度測定を説明します。
- AN-V-138光沢剤(ブライトナー) «Cupraspeed» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «Cupraspeed» の濃度測定を説明します。
- AN-V-156光沢剤(ブライトナー) «スルカップEVF-1A»(上村工業)酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «スルーカップ EVF-1A» の濃度測定を説明します。
- AN-V-157平滑剤(レベラー) «スルカップEVF-R»(上村工業)酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたRC法(Response Curve technique)による酸性銅めっき液の平滑剤(レベラー) «スルカップEVF-R» の濃度測定を説明します。
- AN-V-182抑制剤(サプレッサー) «トップルチナa-M»(奥野製薬工業)酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «トップルチナα-M» の濃度測定を説明します。
- AN-V-183光沢剤 (ブライトナー) «トップルチナa-2»(奥野製薬工業) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «トップルチナα-2» の濃度測定を説明します。
- AN-V-202smartDTによる酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)の濃度測定
DT法 (Dilution Titration technique) による抑制剤(サプレッサー)の濃度測定では、評価比(Q/Q(0))に達するまで標準液または試料を何度も添加します。通常、固定された等量添加量が使用されます。smartDTでは、ソフトウェアによって自動的に計算される可変添加量が使用されます。最初のうちは添加量は多めです。評価比(Q/Q(0))に近づくにつれ、結果の精度を保証するために、添加量を少なくします。オペレーターは、使用する最初と最少の添加量を設定します。その間のすべての添加量は、測定の進捗を考慮してソフトウェアによって計算されます。インテリジェントな添加機能を持つsmartDTを使用すると、従来のDTと同じかそれ以上の精度で、抑制剤(サプレッサー)の濃度測定を大幅に高速化することができます。1回の測定で20~40%の時間短縮が可能となります。
- AN-V-144抑制剤(サプレッサー) «Ronastan TP Additive» (ローム・アンド・ハース) すず/鉛合金めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)によるすず/鉛合金めっき液の抑制剤(サプレッサー)«Ronastan TP Additive» の測定
- AN-V-018有機酸めっき液中のスズ(Sn)と鉛(Pb)の濃度測定
有機酸めっき液中のスズ(Sn)と鉛(Pb)の濃度測定について説明します。
- AN-V-154シアン化金めっき液中の ニトリロ三酢酸(NTA) の濃度測定
シアン化金めっき液中の ニトリロ三酢酸(NTA) の濃度は、ポーラログラフィーによって Bi-NTA 錯体として測定されます。 標準添加標準液には Bi-NTA 標準液を用います。
- AN-V-141抑制剤(サプレッサー) «MACuSpec PPR 100 Wetter» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー)«MACuSpecTM PPR 100 Wetter» の濃度測定を説明します。
- AN-V-142光沢剤(ブライトナー) «MACuSpec PPR 100» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー) «MACuSpecTM PPR 100 Brightener» の濃度測定を説明します。
- AN-V-143抑制剤(サプレッサー) «Multibond 100 Part A20» (マクダーミッド) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «MultiBondTM 100 Part A20»の濃度測定を説明します。
- AN-V-146抑制剤(サプレッサー) «InPulse H6» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Pulse Voltammetric Stripping (CPVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «InPulse H6» の濃度測定を説明します。
- AN-V-147光沢剤(ブライトナー) «InPulse H6» (アトテック) 酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS) を用いたMLAT法(Modified Linear Approximation Technique)による酸性銅めっき液の光沢剤(ブライトナー)«InPulse H6»の濃度測定を説明します。
- AN-V-155抑制剤(サプレッサー) «スルーカップ EVF-B»(上村工業)酸性銅めっき液
Cyclic Voltammetric Stripping (CVS)を用いたDT法 (Dilution Titration technique)による酸性銅めっき液の抑制剤(サプレッサー) «スルーカップ EVF-B» の濃度測定を説明します。
- AN-V-150ニッケルめっき液中の銅(Cu)の濃度測定
ニッケルめっき液中の 銅(Cu) の濃度は、pH 4.7 の酢酸緩衝液(塩化物含有)中でポーラログラフィーを用いて測定されます。
- AN-V-152シアン化金めっき液中のタリウム(Tl)の濃度測定
シアン化金めっき液中のタリウム(Tl)濃度は、電解液を添加することなく、アノード ストリッピング ボルタンメトリー(ASV)によって測定されます。
- AN-V-076金めっき液中のコバルト(Co)の濃度測定
コバルト(Co)は、5-スルホサリチル酸を支持電解液に、ジメチルグリオキシム(DMG)を錯化剤として用い、滴下水銀電極(DME)で高濃度の金(Au)の存在下で測定できます。
- AN-V-149スルファミン酸ニッケルめっき液中のコバルト(Co)の濃度測定
スルファミン酸ニッケルめっき液中の コバルト(Co) 濃度は、錯化剤としてジメチルグリオキシム (DMG) を用いたアンモニア緩衝液 pH 9.6 中での吸着ストリッピング ボルタンメトリー (AdSV) によって測定されます。 すべての試薬は、技術資料(アプリケーションノート)に記載されている順番で添加する必要があります。 錯化剤を添加する前に測定溶液を十分に混合するように特別な注意を払う必要があります。 Ni-DMG が沈殿した場合には、サンプルをさらに希釈する必要があります。
- AN-V-161シアン化銅めっき液中の銅(Cu)の濃度測定
シアン化銅めっき液中の銅(Cu)の濃度は、ポーラログラフィーによって測定されます。
- AN-V-163脱脂液中の鉄(Fe)の濃度測定
全鉄(T-Fe) の濃度は、トリエタノールアミン (TEA) と KBrO3 を含むアルカリ電解液中でポーラログラフィーによって測定されます。 試薬には鉄不純物が含まれている恐れがありますので、試薬のブランクを差し引くことをお勧めします。
- AN-V-017銀めっき液中の クロム(Cr) とセレン( Se) の濃度測定
銀めっき液中の クロム(Cr) とセレン( Se) の濃度測定を説明します。
- AN-V-148スルファミン酸ニッケルめっき液中の ニッケル(Ni)の濃度測定
スルファミン酸ニッケルめっき液中の ニッケル(Ni)の濃度は、pH 9.6 のアンモニア緩衝液中でポーラログラフィーによって測定されます。
- AN-V-165りん酸塩処理液中の亜鉛(Zn)の濃度測定
りん酸-亜鉛処理液中の亜鉛(Zn)の濃度は、pH9.3アンモニア緩衝液中でポーラログラフィーによって測定されます。
- AN-V-166りん酸塩処理液中のニッケル(Ni)の濃度測定
りん酸-亜鉛処理液中のニッケル(Ni)の濃度は、pH9.3アンモニア緩衝液中でポーラログラフィーによって測定されます。
- AN-V-199金めっき浴中の金(Au(I))のボルタンメトリーによる定量
高品質な金めっきを実現するためには、金めっき浴中の一価金(Au(I))濃度を適切に管理することが重要です。" Multi-Mode Electrode Pro " を用いたボルタンメトリー分析は、そのための効率的な分析手法です。
- AN-V-016銀めっき液中のニッケル(Ni)、鉄(Fe)、銅(Cu)の濃度測定
銀めっき液中の ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、銅(Cu)の濃度測定を紹介しています。
- AN-V-019無電解ニッケルめっき液中の鉛(Pb)の濃度定量
無電解ニッケルめっきは、様々な工業生産プロセスで使用されています。プリント回路基板の製造におけるENIG(無電解ニッケル、無電解金)プロセスとENEPIG(無電解ニッケル、無電解パラジウム、無電解金)プロセスは、無電解ニッケルめっきプロセスの最初のステップであるため、この工程の歩留まりに大きく関与しています。めっき不良による規格外製品の量を減らすことで、メーカーは大幅なコスト削減を実現できます。 ディファレンシャル・パルス・アノード・ストリッピング・ボルタンメトリーは、希釈後の活性鉛(Pb)濃度を測定するために使用することができます。ボルタンメトリーによる定量は、この用途において、簡便、高感度、選択的で干渉を受けない方法として確立されています。
- AN-V-140酸性銅めっき液中の全アンチモン(T-Sb)の濃度測定
塩酸を電解液として用いたアノード ストリッピング ボルタンメトリー により、酸性銅めっき液中の全アンチモン(Sb)濃度を測定しました。銅(Cu)が過剰であるため、析出電位はアンチモン(Sb)のシグナルより50mVだけマイナスに選ぶ必要があります。
- AN-V-158すずめっき液中のインジウム(In)の濃度測定
スズ(Sn)めっき液中のインジウム(In)の濃度は、HCl (Urotropin®含有) 電解液中で、アノードストリッピングボルタンメトリー(ASV)により測定されます。測定は、測定容器内のインジウム(In)濃度に対して約0.5 mg/Lまで直線的です。標準添加溶液もHClとUrotropin®で調製します。
- AN-V-112ニッケルめっき液中のチオ尿素の濃度測定
チオ尿素は、pH 8.9 のアンモニア緩衝液中の HMDE でカソード ストリッピング ボルタンメトリー (CSV) によって測定されます。 サンプル中の塩化物はこの測定に干渉しません。
- AN-V-159すずめっき液中のビスマス(Bi)の濃度測定
すず(Sn)めっき液中のビスマス(Bi)の濃度は、HCl (Urotropin®含有) 電解液中で、アノードストリッピングボルタンメトリー(ASV)により測定されmます。測定開始までに少なくとも25分の反応時間が必要となります。標準添加溶液もHClとUrotropin®で調製します。
- AN-V-151無電解ニッケルめっき液中のアンチモン(III) (Sb(III))および全アンチモン(T-Sb)の濃度測定
無電解ニッケルめっき液中の アンチモン(III) (Sb(III)) および 全アンチモン(T-Sb) の濃度は、アノード ストリッピング ボルタンメトリー (ASV) によって測定されます。 c(HCl) = 0.6 mol/L では、Sb(III)濃度 のみが測定されます。 w(HCl) = 10% では、T-Sb 濃度が測定されます。
- AN-V-195無電解ニッケル浴中のよう素酸の濃度測定
鉛は、かつて無電解ニッケルめっきプロセスで安定剤として一般的に使用されていました。安定剤濃度の定期的かつ正確な測定は、めっきプロセスを安定した条件下で正常に稼動させるために不可欠です。近年、消費者製品、特に電子機器への鉛の使用が制限されるようになったため、代替安定剤が開発・導入されました。鉛の代替として使用される安定剤のひとつに、ヨウ素酸(IO3-)があります。 無電解ニッケルめっきは、さまざまな工業生産プロセス(ハードディスクの生産、腐食や摩耗からの保護など)で使用されています。プリント基板(PCB)の製造におけるENIG(無電解ニッケル、無電解金)およびENEPIG(無電解ニッケル、無電解パラジウム、無電解金)プロセスは、無電解ニッケルめっきがプロセスの最初の工程であるため、無電解ニッケルめっきプロセスの最初のステップであるため、この工程の歩留まりに大きく関与しています。 ポーラログラフィーは、支持電解液で希釈した後のヨウ素酸の含有量を測定するために使用することができ、このアプリケーションのための簡単、高感度、選択的で干渉を受けることのない方法として確立されています。
- AN-V-196アノードストリッピングボルタンメトリー(ASV)による安定剤の濃度測定
プリント回路基板の製造におけるENIG(無電解ニッケル、無電解金)プロセスとENEPIG(無電解ニッケル、無電解パラジウム、無電解金)プロセスは、無電解ニッケルめっき工程の最初のステップであるため、この工程の歩留まりに非常に関与しています。 ディファレンシャル・パルス・アノード・ストリッピング・ボルタンメトリー は、安定剤の濃度測定に適した、高感度、高選択性、干渉のない簡便な方法として確立されています。