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OMNIS IC装置:MIDT-UF、PP/DD

OMNIS IC装置:MIDT-UF、PP/DD

6.05331.060

  • 特長

OMNIS ICにおける希釈と限外ろ過の組み合わせ用付属品セット:このテクニックにより、イオン濃度が極端に高いイオンや、高濃度のサンプルマトリックスを希釈することが可能になります。必要とされるサンプル容量は、OMNIS Dosing Drive Unitによって正確に吸引されます。

さらに、インライン限外ろ過により、サンプルをそこに含まれる粒子から分離することができます。この複合テクニックにより、わずか1種類の標準液でキャリブレーションを行うことが可能になります。

前提条件:

OMNIS IC AS/ASCOOLを搭載したOMNIS IC S/M/Lには以下が含まれます:

  • 利用可能なOMNIS Dosing Drive Unit
  • 利用可能なOMNIS Peristaltic Pump Unitチャンネル
  • 利用可能なOMNIS MISP Unit
  • 希釈ステーションおよび3/2 方向制御バルブを搭載したAS/ASCOOL、UNF

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  • オプションパーツ