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OMNIS IC装置:MIDT

OMNIS IC装置:MIDT

6.05331.040

  • 特長

OMNIS ICの希釈用付属品セット:このテクニックにより、イオン濃度が極端に高いイオンや、高濃度のサンプルマトリックスを希釈することが可能になります。必要なサンプル容量は、OMNIS Dosing Drive Unitによって正確に吸引されます。
サンプルと希釈溶液は希釈ステーションにて混合され、サンプルが希釈されるとともに、完全に均一化されます。さらに、Metrohm インライン希釈テクニックを用いることで、単一の標準液によるキャリブレーションが可能です。

仕様:

  • 最大希釈率:2000
  • 精度:DF 100までは<1.5%、DF 1000までは<2.5%
  • 再現性(n=9):DF 1000までは<1%
  • キャリーオーバー:< 0.003%

前提条件:

OMNIS IC S/M/Lには以下が含まれます:

  • 利用可能なOMNIS Dosing Drive Unit
  • 利用可能なOMNIS MISP Unit

AS/ASCOOL装備:

  • 希釈ステーションおよび
  • 3/2 方向制御バルブ、M6

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  • 含まれるパーツ
  • オプションパーツ