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Transistor a effetto di campo in oro flessibili con gate complanare

Transistor a effetto di campo in oro flessibili con gate complanare

DRP-AUFET30-U50

Transistor a effetto di campo in oro flessibili con gate complanare

it

DRP-AUFET30-U50

Anteprima caratteristiche

I dispositivi flessibili monouso per i transistor a effetto di campo (FET, Field-Effect Transistor) sono realizzati in oro su substrato di plastica. Questi elettrodi
sono utili per ottenere le fasi di rilevamento.

Specifiche tecniche

Materiale del substratoPlastica bianca
Dimensione del substrato3,4 x 1,0 x 0,0175 cm
Materiale elettrodo di lavoro (WE)Oro
Materiale elettrodo ausiliario (AUX)Oro
Materiale elettrodo di riferimento (REF)Oro
Diametro WE (mm)3 x 3
Dimensioni banda proibita IDE30 micron