Détermination du gallium dans des solutions d'électrolyte pour la production de cellules photovoltaïques à base de CIGS
AN-V-205
fr
Cette Application Note décrit la détermination du gallium dans des bains galvaniques utilisés dans la production de cellules photovoltaïques à couche mince à base de di-séléniure de cuivre indium gallium (appelé CIGS). La couche absorbante CIGS est déposée par voie électrolytique sur un substrat revêtu d'une couche de molybdène.La détermination du gallium par voltampérométrie à redissolution anodique (ASV) est réalisée après dilution de l'échantillon avec de l'acide sulfurique comme électrolyte de base.
Cette Application Note décrit la détermination du gallium dans des bains galvaniques utilisés dans la production de cellules photovoltaïques à couche mince à base de di-séléniure de cuivre indium gallium (appelé CIGS). La couche absorbante CIGS est déposée par voie électrolytique sur un substrat revêtu d'une couche de molybdène.
La détermination du gallium par voltampérométrie à redissolution anodique (ASV) est réalisée après dilution de l'échantillon avec de l'acide sulfurique comme électrolyte de base.