Impurezas aniónicas en hidróxido de amonio de grado semiconductor concentrado

En la industria de los semiconductores se requieren productos químicos ultrapuros. Las impurezas iónicas pueden poner en peligro la calidad de los productos. Esta aplicación describe la determinación de impurezas aniónicas en solución de hidróxido de amonio al 28 % de grado semiconductor. Para evitar perturbaciones en la matriz, es necesario aplicar las técnicas de neutralización inline y preconcentración inline con eliminación de la matriz.